Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding
Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding
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通过激光退火晶种触发超低温 (~180°C) 固相结晶，在绝缘体上形成热稳定的高锡浓度 (~9%) GeSn
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Matsumura;K. Moto;Y. Kai;T. Sadoh;H. Ikenoue;and M. Miyao
