Scanning tunneling spectroscopy and first-principles investigation on GaAs(0 0 1)(2 × 6)-S surface formed by molecular beam epitaxy
Scanning tunneling spectroscopy and first-principles investigation on GaAs(0 0 1)(2 × 6)-S surface formed by molecular beam epitaxy
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分子束外延GaAs(0 0 1)(2 × 6)-S表面扫描隧道光谱及第一性原理研究
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)01183-9
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发表时间：
1997
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Koguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Tsukamoto;T. Ohno;N. Koguchi
