Diode-pumped passively Q-switched Nd:GGG crystal with GaAs saturable absorber
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DOI：
10.1134/s1054660x08060030
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发表时间：
2008-06
期刊：
影响因子：
1.2
通讯作者：
L. Qin;D. Tang;G. Xie;H. Luo;C. Dong;Z. Jia;X. Tao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Qin;D. Tang;G. Xie;H. Luo;C. Dong;Z. Jia;X. Tao
