A novel process for fabrication of gated silicon field emitter array taking advantage of ion bombardment retarded etching
A novel process for fabrication of gated silicon field emitter array taking advantage of ion bombardment retarded etching
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利用离子轰击延迟蚀刻制造门控硅场发射体阵列的新工艺
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.tanii;et al.
