AlGaN混晶半導体における励起子分子のストークスシフト
AlGaN混晶半導体における励起子分子のストークスシフト
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AlGaN混晶半导体中激子分子的斯托克斯位移
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
室谷 英彰
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤博臣;船津健太郎;星陽一;分担執筆;Yoichi Yamada;Naohiko Shinomura;Y.Yamada et al.;N.Shinomura et al.;Yoichi Yamada;室谷 英彰
