Ge-on-Si photonic devices for photonic-electronic integration on a Si platform
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DOI：
10.1587/elex.11.20142008
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Ishikawa;S. Saito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ishikawa;S. Saito
本文综述了硅基近红外锗光子器件在硅基光电集成电路中的应用，它在短距离光互连中起着重要的作用。特别地，描述了Si上的Ge外延层在光电探测器、光发射器和光调制器上的应用。
This paper reviews near-infrared Ge photonic devices on Si towards photonic-electronic integrated circuits on a Si platform, which play a significant role in short-reach optical interconnects. In particular, applications of Ge epitaxial layers on Si to photodetectors, light emitters and optical modulators are described.