A1N/GaN-MQWサブバンド間遷移スイッチの吸収飽和特性改善に向けた導波路作製の検討 (Waveguide fabrication for improvement of saturation efficiency in A1N/GaN MQW ISBT switch device)
A1N/GaN-MQWサブバンド間遷移スイッチの吸収飽和特性改善に向けた導波路作製の検討 (Waveguide fabrication for improvement of saturation efficiency in A1N/GaN MQW ISBT switch device)
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用于提高 A1N/GaN MQW ISBT 开关器件饱和效率的波导制造
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中野義昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
清水俊匡;飯塚紀夫;杉山正和;中野義昭
