Analysis of GaAsBi growth regimes in high resolution with respect to As/Ga ratio using stationary MBE growth
Analysis of GaAsBi growth regimes in high resolution with respect to As/Ga ratio using stationary MBE growth
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使用固定 MBE 生长对 As/Ga 比率进行高分辨率 GaAsBi 生长状态分析
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.01.010
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Guina
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Puustinen;J. Hilska;M. Guina
