Photoetching method that provides improved silicon-on-insulator layer thickness uniformity in a defined area
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光刻方法可在规定区域内改善绝缘体上硅层厚度的均匀性
DOI：
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Mizuho Morita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuki Miyata;Yasunori Nakamukai;Cassia Tiemi Azevedo;Miho Morita;Junichi Uchikoshi;Kentaro Kawai;Kenta Arima;Mizuho Morita
