III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合
III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合
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使用III族氮化物半导体的低电阻隧道结
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赤﨑勇
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森田隆敏;加賀充;桑野侑香;山下浩司;松井健城;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
