Si貫通電極形成のためのディープエッチングと側壁酸化膜の形成

Si貫通電極形成のためのディープエッチングと側壁酸化膜の形成
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用于Si贯通电极形成的深蚀刻和侧壁氧化膜形成

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
電応研テクニカルレポート 16・1
影响因子:
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通讯作者:
et a1.
et a1.
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
池田晃裕;et a1.

文献摘要

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