Planar-type ferromagnetic tunnel junctions fabricated by SPM local oxidation
Planar-type ferromagnetic tunnel junctions fabricated by SPM local oxidation
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SPM局部氧化制备平面型铁磁隧道结
DOI：
10.1016/j.jmmm.2006.10.682
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发表时间：
2007
影响因子：
2.7
通讯作者：
J. Shirakashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Tomoda;S. Kayashima;T. Ogino;M. Motoyama;Y. Takemura;J. Shirakashi
采用扫描探针显微镜（SPM）局部氧化法制备了纳米氧化物线。该技术被应用于平面型Ni/Ni氧化物/Ni铁磁隧道结的制备。为了诱导磁形状各向异性，采用传统的光刻和湿法刻蚀工艺对非对称沟道结构进行图形化。在平面型Ni/Ni氧化物/Ni铁磁隧道结中，磁电阻（MR）特性被清楚地显示出来。在17 K时，磁电阻率大于100%。这一结果表明，使用SPM的局部氧化纳米光刻是有用的应用于平面型铁磁隧道结。
Nanometer-scale oxide wires were fabricated by local oxidation nanolithography using scanning probe microscope (SPM). This technique was applied to the fabrication of planar-type Ni/Ni oxide/Ni ferromagnetic tunnel junctions. In order to induce magnetic shape anisotropy, asymmetrical channel structure was patterned by conventional photolithography and wet etching processes. The magnetoresistance (MR) characteristics were clearly shown in the planar-type Ni/Ni oxide/Ni ferromagnetic tunnel junctions. MR ratio of above 100% was obtained at 17K. This result suggests that the local oxidation nanolithography using SPM is useful for the application to planar-type ferromagnetic tunnel junctions.
通过扫描探针显微镜（SPM）局部氧化制造铁磁超小型隧道结器件
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
IEEE Trans.Mag. 40
影响因子：
--
作者：
J.Shirakashi;Y.Takemura
通讯作者：
Y.Takemura
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
J.Appl.Phys. (印刷中)
影响因子：
--
作者：
Y.Tomoda;Y.Shibata;J.Shirakashi;Y.Takemura
通讯作者：
Y.Takemura