H.Ikeda, M.Iwasaki, Y.Ishikawa, M.Tabe: "Resonant tunneling characteristics in SiO_2/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage"Applied Physics Letters. 83. 1456-1458 (2003)
H.Ikeda, M.Iwasaki, Y.Ishikawa, M.Tabe: "Resonant tunneling characteristics in SiO_2/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage"Applied Physics Letters. 83. 1456-1458 (2003)
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H.Ikeda、M.Iwasaki、Y.Ishikawa、M.Tabe：“宽范围施加电压下 SiO_2/Si 双势垒结构的谐振隧道特性”应用物理快报。
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