SiC-MOSFETのp型コンタクト抵抗が スイッチング特性に及ぼす影響評価
SiC-MOSFETのp型コンタクト抵抗が スイッチング特性に及ぼす影響評価
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SiC-MOSFET p型接触电阻对开关特性影响的评估
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
永瀬 唯，中田 修平, 富永 貴亮
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kodai Matsuda;Zentaro Furukawa and Kiyonobu Kasama;Rina Takeda;竹田梨夏;竹田梨夏;竹田梨夏;竹田梨夏;古川全太郎;Kodai Matsuda;永瀬 唯，中田 修平, 富永 貴亮
