ナノジェットプローブ法により形成したInAs位置制御積層量子ドットからのPL発光
ナノジェットプローブ法により形成したInAs位置制御積層量子ドットからのPL発光
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通过纳米喷射探针方法形成的 InAs 位置控制堆叠量子点的 PL 发射
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大河内俊介・杉本喜正・石川浩・浅川潔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shunsuke;Ohkouchi;Nobuhiko;Ozaki;Yoshiaki;Takata;Yoshinori;Kitagawa;Yusui;Nakamura;Naoki;Ikeda;Yoshimasa;Sugimoto and Kiyoshi;Asakawa;尾崎信彦・北川嘉則・高田賀章・池田直樹・渡辺慶規・水谷彰夫・大河内俊介・杉本喜正・浅川潔;北川嘉則・尾崎信彦・高田賀章・池田直樹・渡辺慶規・水谷彰夫・杉本喜正・浅川潔;大河内俊介・杉本喜正・石川浩・浅川潔
