Gate field effects on the topological insulator BiSbTeSe 2 interface
Gate field effects on the topological insulator BiSbTeSe 2 interface
复制标题
拓扑绝缘体 BiSbTeSe 2 界面上的栅场效应
DOI：
10.1063/1.5127065
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Cheng, Hai-Ping
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu, Shuanglong;Xu, Yang;Wang, Yun-Peng;Chen, Yong P.;Fry, James N.;Cheng, Hai-Ping
