Growth of GaNAs films with As2 source in atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Growth of GaNAs films with As2 source in atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
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原子氢辅助分子束外延中 As2 源生长 GaNs 薄膜
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.05.027
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发表时间：
2007
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Takata;R. Oshima;H. Shigekawa;Y. Okada
