Spin-polarization dependent carrier recombination dynamics and spin relaxation mechanism in asymmetrically doped (110) n-GaAs quantum wells
Spin-polarization dependent carrier recombination dynamics and spin relaxation mechanism in asymmetrically doped (110) n-GaAs quantum wells
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DOI：
10.1016/j.physleta.2018.02.035
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发表时间：
2018-05
影响因子：
2.6
通讯作者：
L. Teng;Tianran Jiang;Xia Wang;T. Lai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Teng;Tianran Jiang;Xia Wang;T. Lai
