Polycrystalline CPP-GMR devices using < 001> textured Co2Fe(Ga0.5Ge0.5) Heusler alloy layer and conductive Mg0.5Ti0.5Ox buffer layer
Polycrystalline CPP-GMR devices using < 001> textured Co2Fe(Ga0.5Ge0.5) Heusler alloy layer and conductive Mg0.5Ti0.5Ox buffer layer
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使用<001>织构Co2Fe(Ga0.5Ge0.5)Heusler合金层和导电Mg0.5Ti0.5Ox缓冲层的多晶CPP-GMR器件
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuhiro Hono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ye Du;Takao Furubayashi;Yukiko Takahashi;Yuya Sakuraba;Kazuhiro Hono
