Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化

Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化
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Si(110)-16x2单畴表面制备的SiO2超薄膜的表面局域价电子态随膜厚的变化

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
間瀬一彦
間瀬一彦
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
垣内拓大;池田恭平;長岡伸一;間瀬一彦

文献摘要

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