Seiichi HASEGAWA: "Structural and electrical properties of P- and B-doped polycrystalline silicon by plasma-enhanced CVD at 700ﾟC" Japanese Journal of Applied Physics, 28-4, L522-L524, 1989.
Seiichi HASEGAWA: "Structural and electrical properties of P- and B-doped polycrystalline silicon by plasma-enhanced CVD at 700ﾟC" Japanese Journal of Applied Physics, 28-4, L522-L524, 1989.
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Seiichi HASEGAWA：“700°C 下等离子体增强 CVD 的 P 和 B 掺杂多晶硅的结构和电学特性”《日本应用物理学杂志》，28-4，L522-L524，1989。
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