Low temperature selective and lateral epitaxial growth of silicon carbide on patterned silicon substrates
Low temperature selective and lateral epitaxial growth of silicon carbide on patterned silicon substrates
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图案化硅衬底上碳化硅的低温选择性横向外延生长
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C;Chacko;P.Pirouz;S.Nishino
