Extending the emission wavelength of Ge nanopillars to 2.25 µm using silicon nitride stressors.
Extending the emission wavelength of Ge nanopillars to 2.25 µm using silicon nitride stressors.
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使用氮化硅应力源将 Ge 纳米柱的发射波长延长至 2.25 µm。
DOI：
10.1364/oe.23.018193
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Millar RW
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Millar RW
