Emission channeling experiments from the decay of 149Gd to 149Eu in GaN
Emission channeling experiments from the decay of 149Gd to 149Eu in GaN
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GaN 中 149Gd 衰变至 149Eu 的发射沟道实验
DOI：
10.1016/j.mseb.2003.08.025
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Correia
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Vries;U. Wahl;A. Vantomme;J. Correia
