L.-S.Hong: "Sticking Probability of the Film Precarsor in Epitaxial Growth of SiC Films by the mical Vapor Deposition from SiH_4 and C_3H_8." Proc.of the 12th International Symp.on CVD. 401-407 (1993)
L.-S.Hong: "Sticking Probability of the Film Precarsor in Epitaxial Growth of SiC Films by the mical Vapor Deposition from SiH_4 and C_3H_8." Proc.of the 12th International Symp.on CVD. 401-407 (1993)
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L.-S.Hong：“通过 SiH_4 和 C_3H_8 的硅气相沉积外延生长 SiC 薄膜中薄膜前体的粘附概率”。
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