Novel InGaP/(In)GaAs/GaAs P-type modulation doped heterostructure grown by gas source molecular beam epitaxy
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气源分子束外延生长的新型InGaP/(In)GaAs/GaAs P型调制掺杂异质结构
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
1.8
通讯作者：
J.X.Chen,A.Z.Li,Q.K.Yang,C.Lin,Y.C.Ren,S.R.Jin,C.C.Li,M.Qi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.X.Chen,A.Z.Li,Q.K.Yang,C.Lin,Y.C.Ren,S.R.Jin,C.C.Li,M.Qi
