Structural analysis of GaAs(001)-c(4×4) with LEED IV technique
Structural analysis of GaAs(001)-c(4×4) with LEED IV technique
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采用 LEED IV 技术对 GaAs(001)-c(4×4) 进行结构分析
DOI：
10.1016/s0039-6028(01)01221-3
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
J. Yoshino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Nagashima;M. Tazima;A. Nishimura;Y. Takagi;J. Yoshino
