Superior subthreshold characteristics of gate-all-around (GAA) p-type junctionless poly-Si nanowire transistor with ideal subthreshold slope
Superior subthreshold characteristics of gate-all-around (GAA) p-type junctionless poly-Si nanowire transistor with ideal subthreshold slope
复制标题
具有理想亚阈值斜率的环栅 (GAA) p 型无结多晶硅纳米线晶体管的卓越亚阈值特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Min-Ju Ahn;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;Naomi Sawamoto;Atsushi Ogura;and Toshiro Hiramoto
