Growth of dilute GaNSb by plasma-assisted MBE

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DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2004.12.148
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发表时间:
2005-05
影响因子:
1.8
通讯作者:
L. Buckle;B. R. Bennett;Stuart Jollands;T. Veal;N. Wilson;B. Murdin;C. McConville;T. Ashley
L. Buckle;B. R. Bennett;Stuart Jollands;T. Veal;N. Wilson;B. Murdin;C. McConville;T. Ashley
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
L. Buckle;B. R. Bennett;Stuart Jollands;T. Veal;N. Wilson;B. Murdin;C. McConville;T. Ashley

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