MOCVD法によるn-Si上高誘電率TiOx薄膜の評価
MOCVD法によるn-Si上高誘電率TiOx薄膜の評価
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MOCVD法评价n-Si上高介电常数TiOx薄膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小原芳洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yutaka Oyama;Takeo Ohno;Taiji Sato;Jun-ichi Nishizawa;小原芳洋
