Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
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具有 Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si 结构的电阻式非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岩佐太陽;塚本貴広;須田良幸
