Growth of GaN-based Semiconductors on h-BN Release Layers
Growth of GaN-based Semiconductors on h-BN Release Layers
复制标题
GaN 基半导体在 h-BN 释放层上的生长
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kumakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kobayashi;K. Nakata;M. Hiroki;K. Kumakura
