Dependency of the reverse leakage current on the MOVPE growth pressure of vertical pn diodes on a GaN free-standing substrate
Dependency of the reverse leakage current on the MOVPE growth pressure of vertical pn diodes on a GaN free-standing substrate
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GaN自支撑衬底上垂直pn二极管的反向漏电流对MOVPE生长压力的依赖性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Usami;A. Tanaka;H. Fukushima;Y. Ando;M. Deki;M. Kushimoto;S. Nitta;Y. Honda;and H. Amano
