A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs

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纳米级 MOSFET 中的准弹道输运图

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Proc. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2006)
影响因子：
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通讯作者：
H.Tsuchiya
H.Tsuchiya
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
和田光司;谷井宏成;西村太;笹部孝司;植野嘉章;岩崎俊;H.Tsuchiya

文献摘要

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