F-TES ADT Organic Integrated Circuits on Glass and Plastic Substrates
F-TES ADT Organic Integrated Circuits on Glass and Plastic Substrates
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玻璃和塑料基板上的 F-TES ADT 有机集成电路
DOI：
10.1109/iedm.2007.4418908
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Jackson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Park;D. Mourey;Insoo Kim;D. Zhao;S. Subramanian;J. Anthony;T. Jackson
利用含氟小分子有机半导体5，11-二(三乙基硅乙炔基)菲(F-TES-ADT)，在玻璃和塑料衬底上制备了旋铸有机薄膜晶体管(OTFT)和集成电路。我们的F-TES ADT旋转膜是在室温下从甲苯或氯苯溶液中沉积的，不需要任何热处理步骤。在五氟苯硫醇(PFBT)处理的Au电极表面的薄膜生长比在氧化物表面更有序，并且在具有图案化的PFBT-Au结构的样品上，颗粒似乎从PFBT-Au区生长到氧化物区。在硅片上制作的OTFT的迁移率分别为0.1-0.4cm2/V·S和0.2-1.0cm2/V·S。文中还给出了玻璃和塑料衬底上旋转浇注F-TES、ADT、OTFT和电路的工作稳定性和环境稳定性的结果。
Using the small-molecule organic semiconductor fluorinated 5,11-bis(triethylsilylethynyl) anthradithiophene (F-TES ADT), we have fabricated spin cast organic thin film transistors (OTFTs) and integrated circuits on glass and plastic substrates. Our F-TES ADT spin cast films are deposited at room temperature from toluene or chlorobenzene solutions with no annealing steps. Film growth is considerably more ordered on pentafluorobenzenethiol (PFBT) treated Au electrodes surfaces than on oxide and on samples with patterned PFBT-Au structures grains appear to grow out from the PFBT-Au areas into the oxide areas. OTFTs fabricated on silicon wafers have mobility of 0.1 - 0.4 cm2/V·s and 0.2 - 1.0 cm2 / V·s spin cast from toluene and cholobenzene solutions respectively. Results for operational and environmental stability of spin cast F-TES ADT OTFTs and circuits on both glass and plastic substrates are also presented.
斯坦福大学/加州大学伯克利分校/宾夕法尼亚州立大学（美国）
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作者：
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