Point defects induced by dry-etching in wurtzite-type GaN crystal
Point defects induced by dry-etching in wurtzite-type GaN crystal
复制标题
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀引起的点缺陷
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
服藤 憲司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
服藤憲司;河村雄行;K. Harafuji and K. Kawamura;服藤 憲司
