Valley Polarization and interface quality in SiO_2/(100)Si/SiO_2 quantum well
Valley Polarization and interface quality in SiO_2/(100)Si/SiO_2 quantum well
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SiO_2/(100)Si/SiO_2量子阱中的谷极化和界面质量
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshitaka Niida;et al
