Surface Traps in Colloidal Quantum Dots: A Combined Experimental and Theoretical Perspective.
Surface Traps in Colloidal Quantum Dots: A Combined Experimental and Theoretical Perspective.
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DOI：
10.1021/acs.jpclett.7b02193
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发表时间：
2017-10-19
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Infante I
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Giansante C;Infante I
表面陷阱在纳米半导体材料中普遍存在。理解它们的原子起源并对其进行化学操纵对于设计无缺陷的胶体量子点并在高效光电子器件的发展中实现飞跃具有重要意义。计算能力的最新进展使计算化学成为准确描述复杂化学物种的强大工具，现在可以想象模拟具有现实尺寸和形状的胶体量子点。在这个角度来看，我们结合联合收割机在最近的实验发现与量子点电子结构的计算中收集的知识。我们分析了三种不同的系统：即，CdSe，PbS，CsPbI3作为基准半导体纳米晶体显示如何不同类型的陷阱状态可以在它们的表面形成。此外，我们建议根据它们的化学来源和化学成分对这些陷阱进行实验性治疗。
Surface traps are ubiquitous to nanoscopic semiconductor materials. Understanding their atomistic origin and manipulating them chemically have capital importance to design defect-free colloidal quantum dots and make a leap forward in the development of efficient optoelectronic devices. Recent advances in computing power established computational chemistry as a powerful tool to describe accurately complex chemical species and nowadays it became conceivable to model colloidal quantum dots with realistic sizes and shapes. In this Perspective, we combine the knowledge gathered in recent experimental findings with the computation of quantum dot electronic structures. We analyze three different systems: namely, CdSe, PbS, and CsPbI3 as benchmark semiconductor nanocrystals showing how different types of trap states can form at their surface. In addition, we suggest experimental healing of such traps according to their chemical origin and nanocrystal composition.
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