Super resolution optical measurements of nanodefects on Si wafer surface using infrared standing evanescent wave
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DOI：
10.1016/j.cirp.2011.03.053
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发表时间：
2011
影响因子：
4.1
通讯作者：
S. Takahashi;R. Kudo;S. Usuki;K. Takamasu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takahashi;R. Kudo;S. Usuki;K. Takamasu
