Si/SiC Substrates for the Implementation of Linear-Doped Power LDMOS Studied with Device Simulation
Si/SiC Substrates for the Implementation of Linear-Doped Power LDMOS Studied with Device Simulation
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通过器件仿真研究用于实现线性掺杂功率 LDMOS 的 Si/SiC 衬底
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.844
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Chan C
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chan C
