半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測
半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測
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半导体激光辐照毫秒快速热处理a-Ge:H薄膜相变过程原位观察
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
菅川 賢治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治
