Modification of silicon surfaces with H2SO4:H2O2:HF and HNO3:HF for wafer bonding applications
Modification of silicon surfaces with H2SO4:H2O2:HF and HNO3:HF for wafer bonding applications
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DOI：
10.1149/1.1836705
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发表时间：
1996-05
影响因子：
3.9
通讯作者：
K. Ljungberg;U. Jansson;S. Bengtsson;A. Söderbärg
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ljungberg;U. Jansson;S. Bengtsson;A. Söderbärg
氧化剂和蚀刻剂的两种组合，H2SO4：H2O2：HF和HNO3：HF，已被用于在晶片键合之前对硅表面进行改性。通过调节混合物的HF含量，可以在0和10埃之间调节化学氧化物厚度
Two combinations of oxidizing and etching agents, H2SO4:H2O2:HF and HNO3:HF, have been used to modify silicon surfaces prior to wafer bonding. The chemical oxide thickness can be adjusted between 0 and 10 Angstrom by tuning the HF content of the mixtures