表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上
表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上
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使用掩模图案控制表面台阶移动来提高 GaAs MCE 纵横比
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
水野陽介，冨田将史，神林大介，高倉宏幸，岩川宗樹，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水野 陽介;冨田 将史;高倉 宏幸;岩川 宗樹;神林 大介;丸山 隆浩;成塚 重弥;高倉宏幸，岩川宗樹，神林大介，冨田将史，水野陽介，山田純平，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥;水野陽介，冨田将史，神林大介，高倉宏幸，岩川宗樹，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥
