梅沢 仁: "High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1 μm Gate Length"Japanese Journal of Applied Physics. 38巻・11A号. L1222-L1224 (1999)
梅沢 仁: "High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1 μm Gate Length"Japanese Journal of Applied Physics. 38巻・11A号. L1222-L1224 (1999)
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Hitoshi Umezawa：“具有 1 μm 栅极长度的高性能金刚石金属半导体场效应晶体管”，《日本应用物理学杂志》第 38 卷，第 11A 期（1999 年）。
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