衬底温度对MoO_x空穴传输层的影响研究
衬底温度对MoO_x空穴传输层的影响研究
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DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
刘彩池
中科院分区：
文献类型：
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作者：
谷书辉;李宁;黄志平;韦德远;任丙彦;刘彩池
采用射频磁控溅射技术在不同衬底温度下制备MoO_x薄膜,测量结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜平整度变好,薄膜的导电性能得到提高;薄膜平均光学透过率也随衬底温度的升高而增大,在360~1200 nm波段的平均光学透过率在82%~89%之间,其中在780~1200 nm波段的光学透过率接近90%;薄膜的光学帯隙会随衬底温度的升高而变窄,介于3.31~3.15 eV之间,在25 ℃下制备的MoO_x薄膜带隙最宽为3.31 eV。将所制备的MoO_x膜作为空穴传输层应用在Ag/ITO/MoO_x/n c-Si/Ag结构的太阳电池,常温下制备MoO_x薄膜对应的电池性能相对最佳,得到的太阳电池的转换效率为6.05%。