Growth of CuInSe2 on CdS using molecular beam epitaxy
Growth of CuInSe2 on CdS using molecular beam epitaxy
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DOI：
10.1063/1.325624
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发表时间：
1979
影响因子：
3.2
通讯作者：
F. White;A. Clark;M. Graf;L. Kazmerski
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. White;A. Clark;M. Graf;L. Kazmerski
用分子束外延法在CdS（0001B）衬底上生长了CuInSe_2。在300 °C的衬底温度下观察到外延生长，如从原位反射电子衍射确定的。
Molecular beam epitaxy has been used to grow CuInSe2 on CdS(0001B). Epitaxial growth, as determined from in situ reflection electron diffraction, was observed at a substrate temperature of 300 °C.