High PVCR Sil-xGex/Si Electron-Tunneling RTD Using Multiple-Well and Annealed Thin Double-Layer Buffer
High PVCR Sil-xGex/Si Electron-Tunneling RTD Using Multiple-Well and Annealed Thin Double-Layer Buffer
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使用多孔和退火薄双层缓冲器的高 PVCR Sil-xGex/Si 电子隧道 RTD
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Maekawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Suda;A.Meguro;H.Maekawa
