数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調
数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調
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几种nm-CMOS器件的二维Si层研究（八）：氧化膜应力引起的能带调制
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
水野智久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鈴木佑弥, 長嶺由騎，山中正博，青木孝，前田辰郎;水野智久
