Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO_2
Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO_2
复制标题
SiO_2表面处理改善并五苯基MOS二极管特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akhtaruzzaman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Md.;Akhtaruzzaman
