Photoluminescence Evaluation of Defects Generated during Temperature Ramp-up Process of SiGe-On-Insulator virtual Substrate Fabrication
Photoluminescence Evaluation of Defects Generated during Temperature Ramp-up Process of SiGe-On-Insulator virtual Substrate Fabrication
复制标题
绝缘体上硅锗虚拟衬底制造升温过程中产生的缺陷的光致发光评估
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Wang;S.Ii;K.Ikeda;H.Nakashima;H.Nakashima
SiGe 基异质结构中应变诱导结构改性的光学表征
影响因子：
3.2
作者：
N. Usami;K. Leo;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki